日本SAMCO ICP-RIE等離子體蝕刻設(shè)備 RIE-800iP

簡要描述：RIE-800iP是一種高性能ICP(電感耦合等離子體)蝕刻系統(tǒng)，它使用高密度等離子體來執(zhí)行光電器件和電子元件所需的化合物半導(dǎo)體或介電膜蝕刻.

更新時(shí)間：2024/11/4 5:07:55
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產(chǎn)品型號(hào)：RIE-800iP

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詳細(xì)介紹

RIE-800iP是一種高性能ICP(電感耦合等離子體)蝕刻系統(tǒng)，它使用高密度等離子體來執(zhí)行光電器件和電子元件所需的化合物半導(dǎo)體或介電膜蝕刻.

獨(dú)特的HSTC™線圈可產(chǎn)生均勻的高密度等離子體。最大功率為1kw(可選3kw)，適用于ICP和Bias的射頻等離子體源，用于高速蝕刻。大電導(dǎo)允許在低壓環(huán)境下高氣體流量。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)平臺(tái)可以優(yōu)化晶圓和等離子體之間的距離，以實(shí)現(xiàn)高均勻性。

系統(tǒng)配置

● 配備先進(jìn)的ICP源：HSTC™(Hyper Symmetrical Tornado Coil)
可實(shí)現(xiàn)異常均勻的高速蝕刻。
● 獨(dú)創(chuàng)的ESC (靜電卡盤)提高了導(dǎo)熱性，可使晶圓片的溫度更為
均勻。
● 高速排氣系統(tǒng)，可在低壓下實(shí)現(xiàn)高氣體流動(dòng)。
● 強(qiáng)化腔室的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。
● 龐大的工藝庫可支持各種各樣的應(yīng)用場景。
● 兼容所有尺寸達(dá)ø8英寸(200毫米)的晶圓
● 可選的光學(xué)/干涉端點(diǎn)檢測系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的蝕刻深度控制
● 人性化的使用界面并且易于維護(hù)

應(yīng)用場景

尺寸