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Nisene化學(xué)芯片開(kāi)封機(jī)JetEtch Pro

簡(jiǎn)要描述:如同當(dāng)年的JetEtch一樣,Nisene公司最新一代的全自動(dòng)濕法化學(xué)芯片開(kāi)封系統(tǒng)JetEtch Pro再一次以杰出的安全性與性能引領(lǐng)行業(yè)。 美國(guó)Nisene科技集團(tuán)有限公司從事集成電路失效分析的自動(dòng)開(kāi)封裝置研發(fā)超過(guò)40年,擁有多項(xiàng)電化學(xué)及微波等離子開(kāi)封機(jī)技術(shù)的專(zhuān)利。

  • 更新時(shí)間:2024/11/4 3:28:08
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:7326
  • 產(chǎn)品型號(hào):JetEtch Pro
詳細(xì)介紹

 

CuProtect工藝 - 美國(guó)專(zhuān)利8,945,343 B2-用施加的電壓解封裝。 
TotalProtect Process - 美國(guó)專(zhuān)利9,543,173 B2-用施加的電壓和冷卻系統(tǒng)解封裝。 
PlasmaEtch Process - 美國(guó)專(zhuān)利9,548,227 B2 - 使用等離子體放電管的微波誘導(dǎo)等離子體。

 

引領(lǐng)行業(yè)的化學(xué)芯片開(kāi)封系統(tǒng)----JetEtch Pro

 

         美國(guó) Nisene Technology Group 生產(chǎn)的 JetEtch 自動(dòng)開(kāi)封機(jī),可采用雙酸刻蝕,并利用負(fù)壓噴霧技術(shù)進(jìn)行刻蝕。根據(jù)不 同的器件封裝材料和尺寸,可設(shè)定不同的試驗(yàn)條件,進(jìn)行定位刻蝕。主要可設(shè)置的試驗(yàn)參數(shù)包括:采用刻蝕酸的種 類(lèi)、刻蝕酸的比例、蝕刻溫度、蝕刻時(shí)間、酸的流量(酸的用量)、清洗的時(shí)間等。同時(shí)采取漩渦噴酸的方式,可大 大降低用酸量,從而能夠比較精確地去除掉芯片表面的封裝材料,達(dá)到較好的開(kāi)封效果。根據(jù)器件的不同封裝形式, 可選取不同封裝開(kāi)口模具,可控制開(kāi)口的位置和大小,目前配有的開(kāi)口模具有多種,基本滿(mǎn)足目前的封裝需要,如 適用 DIP/SIP,PLCC,OFP,PBGA,芯片倒裝 BGA 和 S0 小外型封裝。

          Nisene 是世界領(lǐng)先的專(zhuān)注從事失效分析自動(dòng)開(kāi)封、IC 芯片去層、塑封蝕刻技術(shù)研究和設(shè)備制造的美國(guó)公司,有著 28 年的自動(dòng)開(kāi)封和蝕刻研發(fā)制造歷史, Nisene 科技公司很榮幸的介紹我們的新一代革命性酸液自動(dòng)化開(kāi)封 機(jī) (Decapsulator)。我們命名為 JetEtch pro,正如其名,一個(gè)符合當(dāng)今 IC 封裝之開(kāi)封機(jī)設(shè)計(jì)要求,新型 Jetetch 第二代 開(kāi)封機(jī)秉持著我們對(duì)半導(dǎo)體去除處理的一貫的承諾證明了 Nisene 科技公司為符合現(xiàn)在直至來(lái)失效分析專(zhuān)業(yè)需求而 提供創(chuàng)新,高質(zhì)量設(shè)備產(chǎn)品的傳統(tǒng); 今日 JetEtch pro 硬件,操作系統(tǒng)和軟件完全重新設(shè)計(jì)并保留了以前熟悉的、精 密的設(shè)計(jì)以呈現(xiàn)比以往更靈活設(shè)計(jì)的開(kāi)封機(jī)。 JetEtch pro 操作簡(jiǎn)易、直覺(jué)的軟件透過(guò)簡(jiǎn)單編程的順序逐步引導(dǎo)操作 員。一但設(shè)定完成,只以二個(gè)擊鍵便使軟件能完成一整個(gè)蝕刻程序。


JetEtch Pro自動(dòng)解封裝置作用和特點(diǎn):
基于以下原因,我們需要將IC塑封材料進(jìn)行去除: 

1. 檢查IC元件為何失效; 
2. 執(zhí)行質(zhì)量控制檢測(cè)和測(cè)試; 
3. 為了研發(fā)的要求對(duì)芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)行修訂。


        最初出現(xiàn)的是手動(dòng)開(kāi)封,為了檢查芯片的一些缺陷而手動(dòng)去除芯片外面包裹的塑封材料。但是手動(dòng)開(kāi)封存在著安全性不夠高,重復(fù)性較差,精度控制非常低,開(kāi)封速度不夠快等問(wèn)題。為此在這個(gè)基礎(chǔ)上NISENE研制出自動(dòng)開(kāi)封機(jī)JetEtch Pro,以解決手動(dòng)開(kāi)封存在的問(wèn)題。JetEtch Pro系統(tǒng)通過(guò)用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去處塑料的過(guò)程又快又安全,并且產(chǎn)生干凈無(wú)腐蝕的芯片表面。整個(gè)腐蝕過(guò)程是在一定壓力下的惰性氣體中完成的,不但能降低金屬氧化而且降低了產(chǎn)生的廢氣。這套系統(tǒng)被設(shè)計(jì)成在極少培訓(xùn)的條件下安全并易于使用。 

JetEtch pro CuProtect 一些特性和優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)如下:    
1.  銅線(xiàn)開(kāi)封技術(shù),專(zhuān)利的離子保護(hù)銅線(xiàn)技術(shù)。
2. 一條高亮度六線(xiàn)字母數(shù)字的顯示在所有情況排煙柜的照明下保證絕佳的可見(jiàn)性;
3. JetEtch pro CuProtect 為不同的構(gòu)裝類(lèi)型可充分地編輯程序和存放 100 組蝕刻程序。JetEtch pro CuProtect 在產(chǎn)業(yè)呈 現(xiàn)的準(zhǔn)確性和功能性無(wú)可匹敵;
4. 溫度選擇和自動(dòng)精確溫度檢測(cè);升降溫時(shí)間快,硝酸與硫酸的切換使用只需很小的時(shí)間;
5. JetEtch pro CuProtect 酸混合選擇:JetEtch pro CuProtect 軟件可以使用硝酸、硫酸或混合酸,另含 13 組混酸比率;
6.具有專(zhuān)利技術(shù)的泵浦可以達(dá)到精準(zhǔn)酸的配比和最快的腐蝕效率
7. 蝕刻劑混合選擇確保準(zhǔn)確性及重復(fù)率,1ml~6ml/sec 的酸量選擇能提供更好的腐蝕效果;
8. 專(zhuān)利 JetEtch pro CuProtect 電氣泵和蝕刻頭配件組;
9. 蝕刻劑流向選擇:渦流蝕刻和脈沖蝕刻,JetEtch pro CuProtect 廢酸分流閥;
10. 不會(huì)有機(jī)械損傷或影響焊線(xiàn);不會(huì)有腐蝕性損傷或影響外部引腳;可以選擇硝酸、冷硫酸進(jìn)行沖洗或不沖洗;
11. 無(wú)需等待,完全腐蝕一顆樣品最多只要 1~2 分鐘;
12. 通常使用的治具會(huì)與設(shè)備一同提供;通常情況不需要樣品制備;
13. 酸和廢酸存儲(chǔ)在標(biāo)準(zhǔn)化的酸瓶中;
14. 設(shè)備小巧,只需很小的空間擺放;安全蓋凈化:安全、簡(jiǎn)單、牢靠。

 

 

例子:
 




 

詳細(xì)參數(shù):

尺寸

主機(jī)(mm/英寸) 290 高 x 290 寬 x 419 深 / 11.5 高 x 11.5 寬 x 16.5 深

瓶柜(mm/英寸) 230 高 x 110 寬 x 110 深 / 9 高 x 4.25 寬 x 4.25 深

重量 (KG/磅)

17 / 38 (包含瓶柜和附件)

電源

350 W @ 95 - 130 VAC or 350 W @ 210 - 250 VAC

壓縮空氣/氮?dú)庖?/strong>

壓縮空氣 4.2 kg/cm2 / 60 –100 psi

氮?dú)夤?yīng) 2.8公升/分鐘 / 0.1 立方英尺/分鐘

 

 

 

可用的蝕刻液

蝕刻液流量:脈沖模式1、2、5或1-10mL/min;渦流模式1-6mL/min

煙硝酸

煙硫酸

硫酸(濃縮試劑)

硝酸:硫酸混合比例:6:1, 5:1, 4:1, 3:1

溫度范圍

硝酸  20 – 90(°C)

硫酸  20 – 250(°C)

混合酸 20 – 100(°C)

蝕刻時(shí)間和方式

(用戶(hù)可選)

1–1800秒可調(diào),1秒的增量

脈沖蝕刻模式, 渦流蝕刻模式

程序容量: 100,用戶(hù)自定義

升溫時(shí)間

(用戶(hù)可選)

0 – 120 秒可調(diào),1秒的增量

清洗

硫酸、硝酸,無(wú)須清洗

儲(chǔ)液器

500mL或1升瓶

33/38/40/45mm蓋的尺寸

4個(gè)瓶子: 2個(gè)裝酸, 2個(gè)裝廢液

證書(shū)

CE證書(shū), SEMI S-2-93, SEMI S-2-2000

 

 


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